產(chǎn)品分類
詳細(xì)信息
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功率器件功能高壓測(cè)試模塊特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：
十ms級(jí)的上升沿和下降沿；
單臺(tái)最大3500V的輸出；
0.1%測(cè)試精度；
同步電流或電壓測(cè)量；
支持程控恒壓測(cè)流，恒流測(cè)壓，便于掃描測(cè)試；詳詢一八一四零六六三四七六；
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高（3500V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3500V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。
應(yīng)用領(lǐng)域：
用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。
更多有關(guān)功率器件功能高壓測(cè)試模塊詳情找普賽斯儀表專員為您解答，詳詢一八一四零六六三四七六；武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導(dǎo)體的電性能測(cè)試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專注于第三代半導(dǎo)體測(cè)試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。未來，普賽斯儀表基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測(cè)試方案，以更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力，聯(lián)合更多行業(yè)客戶，共同助力我國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。
