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晶體管參數曲線圖示儀iv+cv測試儀概述：

SPA-6100半導體參數分析儀是武漢普賽斯自主研發、精益打造的一款半導體電學特性測試系統，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優勢。產品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料研究、半導體芯片器件設計以及先進工藝的開發，具有桌越的測量效率與可靠性。

基于模塊化的體系結構設計，SPA-6100半導體參數分析儀可以幫助用戶根據測試需要，靈活選配測量單元進行升級。產品支持Z高1200V電壓、100A大電流、1pA小電流分辨率的測量，同時檢測10kHz至1MHz范圍內的多頻AC電容測量。SPA-6100半導體參數分析儀搭載普賽斯自主開發的專用半導體參數測試軟件,支持交互式手動操作或結合探針臺的自動操作,能夠從測量設置、執行、結果分析到數據管理的整個過程，實現高效和可重復的器件表征;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。詳詢18140663476；

產品特點：

30μV-1200V；1pA-100A寬量程測試能力；

測量精度高，全量程下可達0.03%精度；

內置標準器件測試程序，直接調用測試簡便；

自動實時參數提取，數據繪圖、分析函數；

在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線；
提供靈活的夾具定制方案，兼容性強；

免費提供上位機軟件及SCPI指令集；

典型應用：

納米、柔性等材料特性分析；

二極管；

MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；

第三代半導體材料/器件；

有機OFET器件；

LED、OLED、光電器件；

半導體電阻式等傳感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管；

電阻率系數和霍爾效應測量；

太陽能電池；

非易失性存儲設備；

失效分析；

系統技術規格

半導體電學特性測試系統CV+IV測試儀訂貨信息

模塊化構成：

低壓直流I-V源測量單元

-精度0.1%或0.03%可選
-直流工作模式
-Z大電壓300V，Z大直流1A或3A可選
-最小電流分辨率10pA
-四象限工作區間
-支持二線，四線制測試模式
-支持GUARD保護

低壓脈沖I-V源測量單元

-精度0.1%或0.03%可選
-直流、脈沖工作模式
-Z大電壓300V,Z大直流1A或3A可選，Z大脈沖電流10A或30A可選
-最小電流分辨率1pA
-最小脈寬200μs
-四象限工作區間.
-支持二線，四線制測試模式
-支持GUARD保護

高壓I-V源測量單元
-精度0.1%    
-Z大電壓1200V,Z大直流100mA

-最小電流分辨率100pA
-一、三象限工作區間
-支持二線、四線制測試模式
-支持GUARD保護

高流I-V源測量單元

-精度0.1%
-直流、脈沖工作模式.
-Z大電壓100V，Z大直流30A,Z大脈沖電流100A
-最小電流分辨率10pA

-最小脈寬80μs
-四象限工作區間
支持二線、四線制測試模式
-支持GUARD保護

電壓電容C-V測量單元

-基本精度0.5%
-測試頻率10hZ~1MHz，可選配至10MHz
-支持高壓DC偏置，Z大偏置電壓1200V
-多功能AC性能測試，C-V、 C-f、 C-t

硬件指標-IV測試

半導體材料以及器件的參數表征，往往包括電特性參數測試。絕大多數半導體材料以及器件的參數測試，都包括電流-電壓(I-V)測量。源測量單元(SMU)，具有四象限，多量程，支持
四線測量等功能，可用于輸出與檢測高精度、微弱電信號，是半導體|-V特性測試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規格的SMU,如低壓直流SMU,低壓脈沖SMU,大電流SMU。用戶可根據測試需求靈活配置不同規格,以及不同數量的搭配，實現測試測試效率與開支的平衡。

靈活可定制化的夾具方案

針對市面上不同封裝類型的半導體器件產品,普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點，可
用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC  MOS、GaN等單管，模組類產品的測試;也可與探針臺連接，實現晶圓級芯片
測試。

探針臺連接示意圖

更多有關晶體管參數曲線圖示儀iv+cv測試儀詳情找普賽斯儀表專員為您解答一八一四零六六三四七六；普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態參數測試方案和國產化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯系我們！